Back-end-of-line integration approaches for resistive memories - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00461101 , version 1 (03-03-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00461101 , version 1

Citer

V. Jousseaume, J. Buckley, Y. Bernard, P. Gonon, Corentin Vallée, et al.. Back-end-of-line integration approaches for resistive memories. IITC 2009 – Hokkaido (Japon), 2009, hokaido, Japan. ⟨hal-00461101⟩
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