Impact of the metallic electrode and oxygen vacancies in HfO2 RRAM for non-volatile memory - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00461098 , version 1 (03-03-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00461098 , version 1

Citer

Corentin Vallée, P. Gonon, Y. Bernard, Corentin Jorel, B. Pelissier, et al.. Impact of the metallic electrode and oxygen vacancies in HfO2 RRAM for non-volatile memory. 2009 MRS Spring Meeting, 2009, San Francisco, United States. ⟨hal-00461098⟩
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