Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2007
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00393599
Soumis le : mardi 9 juin 2009-15:56:07
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:56:32
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00393599 , version 1
Citer
A. Ohata, M. Casse, S. Cristoloveanu. Front- and back-channel mobility in ultrathin SOI-MOSFETs by front-gate split CV method. Solid-State Electronics, 2007, 51(2), pp.245-251. ⟨hal-00393599⟩
47
Consultations
0
Téléchargements