Article Dans Une Revue
Journ. Appl. Phys
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00393070
Soumis le : mardi 9 juin 2009-14:26:38
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:21:21
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00393070 , version 1
Citer
N. Rodriguez, S. Cristoloveanu, F. Gamiz. Evidence for mobility enhancement in double-gate silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Journ. Appl. Phys, 2007, 102 (8), pp.083712:1-7. ⟨hal-00393070⟩
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