Evidence for mobility enhancement in double-gate silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journ. Appl. Phys Année : 2007

Evidence for mobility enhancement in double-gate silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00393070 , version 1 (09-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00393070 , version 1

Citer

N. Rodriguez, S. Cristoloveanu, F. Gamiz. Evidence for mobility enhancement in double-gate silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors. Journ. Appl. Phys, 2007, 102 (8), pp.083712:1-7. ⟨hal-00393070⟩
62 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More