Gate-Length and Drain-Bias Dependence of Band-to-Band Tunneling-Induced Drain Leakage in Irradiated Fully Depleted SOI Devices - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2008

Gate-Length and Drain-Bias Dependence of Band-to-Band Tunneling-Induced Drain Leakage in Irradiated Fully Depleted SOI Devices

F.E. Mamouni
  • Fonction : Auteur
S.K. Dixit
  • Fonction : Auteur
R.D. Scrimpf
  • Fonction : Auteur
P.C. Adell
  • Fonction : Auteur
Is Esqueda
  • Fonction : Auteur
M.L. Mclain
  • Fonction : Auteur
H. J. Barnaby
  • Fonction : Auteur
W.Z. Xiong
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392655 , version 1 (08-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392655 , version 1

Citer

F.E. Mamouni, S.K. Dixit, R.D. Scrimpf, P.C. Adell, Is Esqueda, et al.. Gate-Length and Drain-Bias Dependence of Band-to-Band Tunneling-Induced Drain Leakage in Irradiated Fully Depleted SOI Devices. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2008, 55 (6), pp.3259-3264. ⟨hal-00392655⟩
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