Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Nuclear Science
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00392655
Soumis le : lundi 8 juin 2009-16:31:22
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:17:24
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00392655 , version 1
Citer
F.E. Mamouni, S.K. Dixit, R.D. Scrimpf, P.C. Adell, Is Esqueda, et al.. Gate-Length and Drain-Bias Dependence of Band-to-Band Tunneling-Induced Drain Leakage in Irradiated Fully Depleted SOI Devices. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2008, 55 (6), pp.3259-3264. ⟨hal-00392655⟩
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