Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00392062
Soumis le : vendredi 5 juin 2009-14:28:13
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:35
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00392062 , version 1
Citer
L. Souriau, T. Nguyen, E. Augendre, R. Loo, V. Terzieva, et al.. High hole mobility SGOI substrates obtained by the germanium condensation technique.. 3rd International Symposium on SiGe, Ge and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices, Joint Meeting (214th ECS Meeting and 2008 Fall Meeting of the Electrochemical Soc. of Japan), Honolulu, Hawaii, USA, Oct 2008, Honolulu, United States. pp.79-89. ⟨hal-00392062⟩
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