Ge-On-Insulator substrates formed by Ge condensation technique: fabrication, modeling and characterization. - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Ge-On-Insulator substrates formed by Ge condensation technique: fabrication, modeling and characterization.

J.F. Damlencourt
  • Fonction : Auteur
B. Vincent
C. Le Royer
  • Fonction : Auteur
P. Rivallin
  • Fonction : Auteur
E. Martinez
M.C. Roure
  • Fonction : Auteur
Y. Campidelli
  • Fonction : Auteur
D. Rouchon
  • Fonction : Auteur
T. Nguyen
  • Fonction : Auteur
Y. Morand
  • Fonction : Auteur
S. Descombes
  • Fonction : Auteur
L. Clavelier
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392054 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392054 , version 1

Citer

J.F. Damlencourt, B. Vincent, C. Le Royer, P. Rivallin, E. Martinez, et al.. Ge-On-Insulator substrates formed by Ge condensation technique: fabrication, modeling and characterization.. Invited paper, International Conference of Electronic Materials, sponsored by Int. Union of Materials Research Society (ICEM-IUMRS 2008), Sydney, Australia, Jul 2008, Sydney, Australia. ⟨hal-00392054⟩
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