Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00391612
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-11:45:18
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:51
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391612 , version 1
Citer
T.V. Chandrasekhar Rao, J. Antoszewski, L. Faraone, S. Cristoloveanu, T. Nguyen, et al.. Transport measurements in silicon-on-insulator films: Comparison of Hall effect, mobility spectrum, and pseudo-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor techniques.. Journal of Applied Physics, 2008, 103 (XX, 034503), pp.1-5. ⟨hal-00391612⟩
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