Transport measurements in silicon-on-insulator films: Comparison of Hall effect, mobility spectrum, and pseudo-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor techniques. - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2008

Transport measurements in silicon-on-insulator films: Comparison of Hall effect, mobility spectrum, and pseudo-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor techniques.

T.V. Chandrasekhar Rao
  • Fonction : Auteur
J. Antoszewski
  • Fonction : Auteur
L. Faraone
  • Fonction : Auteur
T. Nguyen
  • Fonction : Auteur
P. Gentil
  • Fonction : Auteur
N. Bresson
  • Fonction : Auteur
F. Allibert
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391612 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391612 , version 1

Citer

T.V. Chandrasekhar Rao, J. Antoszewski, L. Faraone, S. Cristoloveanu, T. Nguyen, et al.. Transport measurements in silicon-on-insulator films: Comparison of Hall effect, mobility spectrum, and pseudo-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor techniques.. Journal of Applied Physics, 2008, 103 (XX, 034503), pp.1-5. ⟨hal-00391612⟩
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