Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00391609
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-11:41:59
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:35
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391609 , version 1
Citer
M. Bawedin, S. Cristoloveanu, D. Flandre. A capacitor-less 1T-DRAM on SOI based on double gate operation. IEEE Electron Device Letters, 2008, 29 (7, 795-798). ⟨hal-00391609⟩
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