A capacitor-less 1T-DRAM on SOI based on double gate operation - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2008
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391609 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391609 , version 1

Citer

M. Bawedin, S. Cristoloveanu, D. Flandre. A capacitor-less 1T-DRAM on SOI based on double gate operation. IEEE Electron Device Letters, 2008, 29 (7, 795-798). ⟨hal-00391609⟩
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