Fully Depleted SOI MOSFETs with WSix metal gate on HfO2 gate dielectric - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Fully Depleted SOI MOSFETs with WSix metal gate on HfO2 gate dielectric

J. Widiez
  • Fonction : Auteur
M. Vinet
B. Guillaumot
  • Fonction : Auteur
T. Poiroux
  • Fonction : Auteur
D. Lafond
  • Fonction : Auteur
P. Holliger
  • Fonction : Auteur
O. Weber
  • Fonction : Auteur
Vincent Barral
  • Fonction : Auteur
B. Previtali
  • Fonction : Auteur
F. Martin
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147175 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147175 , version 1

Citer

J. Widiez, M. Vinet, B. Guillaumot, T. Poiroux, D. Lafond, et al.. Fully Depleted SOI MOSFETs with WSix metal gate on HfO2 gate dielectric. 2006 International SOI Conference, 2006, Etats-Unis, United States. Actes pp. 161-162. ⟨hal-00147175⟩

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